非隔離小家電芯片TB1211是一款高性能低成本PWM控制功率器，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合，外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品啟動(dòng)模塊內(nèi)置 高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。
與傳統(tǒng)的PWM功率開關(guān)不同，該芯片內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM 控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性 調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。
TB1211集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保 護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)和VDD過壓保護(hù)等。
非隔離小家電芯片TB1211的參數(shù)：
1.Drain管腳電壓 ：-0.3 to 650 V
2.VDD供電電壓：30 V
3.VDD箝位電流：10 mA
4.FB , CS管腳電壓：-0.3 to 7V
5.封裝熱阻---結(jié)到環(huán)境：（SOP-8）165°C/W
6.高芯片工作結(jié)溫：160°C
7.儲(chǔ)藏溫度：-65 to 150 °C
8.管腳溫度（焊接10秒）：260°C
9.ESD能力（人體模型）：3KV
10.ESD能力（機(jī)器模型）：250 V
