在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應(yīng)用中，也可使用同步整流來提高轉(zhuǎn)換效率。推薦使用深圳銀聯(lián)寶最新推出的30~45W高頻率快充應(yīng)用同步整流ic——U7110W！
同步整流icU7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7110W內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U7110W的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7110W內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。
PCB設(shè)計(jì)對同步整流的性能會產(chǎn)生顯著影響，設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考詳細(xì)規(guī)格書的布局設(shè)計(jì)，包含同步整流icU7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
1.副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。
2.VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。
3.HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點(diǎn)位置對CCM應(yīng)力有影響，HV檢測點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。High Side 配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。
4.R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。
5.Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。
6.SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。
在內(nèi)置MOSFET關(guān)斷瞬間，芯片漏-源(Drain- Source)之間會產(chǎn)生電壓振蕩。為避免此類電壓振蕩干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤開通，芯片內(nèi)部設(shè)置了最小關(guān)斷時(shí)間(Toff_min，典型值200ns)。在Toff_min內(nèi)，開通比較器被屏蔽，無法開通同步整流MOSFET，Toff_min結(jié)束后芯片再開始檢測開通條件。同步整流icU7110W內(nèi)部集成有智能開通檢測功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。