氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景中，進(jìn)一步彰顯了它在性能方面的優(yōu)越性。深圳銀聯(lián)寶科技自推出氮化鎵電源IC U8722X系列以來，用量急速上升，市場需求旺盛。今天特地給小伙伴們介紹在U8722X系列中功率最大，推薦輸出功率45W的氮化鎵電源ICU8722EE！
氮化鎵電源ICU8722EE的封裝采用ESOP-7，腳位與之前常見的U8722AH腳位略有不同，具體如下：
1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
6/7 GND P 芯片參考地
8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
氮化鎵電源ICU8722EE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8722EE采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。隨著負(fù)載的逐漸降低，系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個數(shù)逐漸增加，當(dāng)谷底數(shù)超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式，通過進(jìn)一步降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。
氮化鎵電源ICU8722EE工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流可配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。U8722EE既能減少能量損耗，又有助于提升設(shè)備的續(xù)航能力或者降低設(shè)備運行成本，獨特優(yōu)勢，無可替代！