與肖特基整流相比，同步整流的調(diào)整難度就在于其驅(qū)動電路的調(diào)校，因此在PC電源的發(fā)展早起，同步整流一般只應(yīng)用在高端產(chǎn)品上，是作為一種展示廠商實力的手段，主流級的產(chǎn)品大都使用電路結(jié)構(gòu)簡單的肖特基整流。而近年來同步整流的驅(qū)動IC有了很大的進展，使得同步整流的控制不再是一件高難度的事情，因此現(xiàn)在同步整流已經(jīng)從高端逐步向主流級市場推進。深銀聯(lián)寶科技的同步整流IC已經(jīng)相當(dāng)成熟，在同步整流市場頗有名氣，近期更是針對性的開發(fā)了多款負(fù)端同步整流IC，今天就來了解一下負(fù)端5V2.4A同步整流ICU7711！
負(fù)端5V2.4A同步整流ICU7711是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711支持““共地”同步整流配置，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。U7711采用輸出直接給VDD供電，不需要輔助繞阻，也不需要VDD電容，降低了系統(tǒng)成本。U7711內(nèi)置智能開通檢測邏輯防止同步整流誤導(dǎo)通。
負(fù)端5V2.4A同步整流ICU7711采用5V輸出直接給VDD供電, 無需輔助繞阻，省略了VDD電容，系統(tǒng)成本降低。系統(tǒng)開機以后，芯片內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.2V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開啟電壓后（3.4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET 只在副邊續(xù)流期間才能開通。
變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓(<-500mV)。該負(fù)向Vds電壓遠(yuǎn)小于負(fù)端5V2.4A同步整流ICU7711內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值，(典型值-200mV)，故經(jīng)過開通延遲（典型值 20nS）后內(nèi)部MOSFET開通。在同步整流MOSFET導(dǎo)通期間，U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值(典型值-6mV)，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約20ns）后被關(guān)斷。
在內(nèi)部同步整流 MOSFET 開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source) 之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時間（約 1.12us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時間結(jié)束。
輕負(fù)載下的同步整流電路在轉(zhuǎn)換效率上并不比肖特基整流有明顯優(yōu)勢，但相比于后者會釋放高頻諧波的缺點，同步整流電路在輕負(fù)載下的“瑕疵”幾乎是可以忽略不計的，所用的晶體管允許電流逆向通過，因此電流波形是持續(xù)的，電路可以一直工作在持續(xù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶同步整流IC，更是您同步整流電路的首選！