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氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應對充電問題

2025-05-21 14:36:30 

氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比,性能遙遙領先它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識別設備所需的充電功率,實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機,還是筆記本電腦、平板電腦,氮化鎵充電器都能輕松應對,一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持,今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732!

氮化鎵GaN快充芯片U8732特點:

1.集成 700V E-GaN

2.集成高壓啟動功能

3.超低啟動和工作電流,待機功耗 <30mW

4.谷底鎖定模式最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)

5.集成 EMI 優(yōu)化技術

6.驅(qū)動電流分檔配置

7.集成恒功率功能

8.外置 OTP 及主動降功率功能

9.集成完備的保護功能:VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)、輸出過壓/欠壓保護 (OVP/UVP)輸入欠壓保護 (BOP)、片內(nèi)過熱保護 (OTP)、外置過熱保護逐周期電流限制 (OCP)、異常過流保護 (AOCP)、短路保護 (SCP)、前沿消隱 (LEB)、CS 管腳開路保護

10.封裝類型 HSOP7-T3

氮化鎵GaN快充芯片U8732采用峰值電流控制模式,可以自適應的工作在QR和降頻工作模式,從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在 QR 工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開關損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù),同時為了避免系統(tǒng)在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數(shù)跳變,產(chǎn)生噪音,U8732采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下,導通谷底數(shù)穩(wěn)定,系統(tǒng)無噪音。隨著負載的逐漸降低,系統(tǒng)導通的谷底個數(shù)逐漸增加,當谷底數(shù)超過6個時,不再檢測谷底電壓,系統(tǒng)進入降頻工作模式,通過進一步降低開關頻率,減小開關損耗,優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。

氮化鎵GaN快充芯片不僅能讓充電器在體積和重量上實現(xiàn)大幅縮減,還可以在相同功率下,產(chǎn)生更少的熱量,實現(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率,能夠“又快又冷”地完成充電任務。深圳銀聯(lián)寶科技已推出多款氮化鎵GaN快充芯片電源方案,被市場所認可。聯(lián)系銀聯(lián)寶,一鍵索取相關資料!

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