氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，從而減小次級側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征：
▲集成 高壓 E-GaN
▲集成高壓啟動功能
▲超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
▲集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)
▲驅(qū)動電流分檔配置
▲集成 Boost 供電電路
▲集成完備的保護(hù)功能：
VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護(hù) (OVP)
輸入欠壓保護(hù) (BOP)
片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護(hù) (AOCP)
短路保護(hù) (SCP)
過載保護(hù) (OLP)
過流保護(hù)（SOCP）
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護(hù)
▲封裝類型 ASOP7-T4
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS還集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8722DAS通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。
