開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。選擇開關(guān)電源器件時，需要考慮控制器的架構(gòu)和內(nèi)部元件，以期獲得高效指標(biāo)。性能優(yōu)越、穩(wěn)定可靠的芯片可幫你降低能量損耗。開關(guān)電源芯片U6116就是一款高性能、多模式且采用斷續(xù)模式（DCM）工作的原邊控制器。
在芯片開始工作之前，開關(guān)電源芯片U6116僅消耗典型值為2uA 的啟動電流，超低啟動電流可以幫助增加啟動電阻阻值以達到降低由直流母線流經(jīng)啟動電阻的電流和待機功耗的目的。當(dāng) VDD 電壓超過開啟電壓（典型值 16.3V）， U6116 開始工作并且芯片工作電流上升到 1mA（典型值）。之后 VDD 電容持續(xù)為芯片供電直至輸出電壓建立后由輔助繞組為芯片供電。一旦芯片進入到超低頻工作模式中，U6116 的工作電流便進一步降低到 0.5mA（典型值），以幫助降低系統(tǒng)待機功耗。
開關(guān)電源芯片U6116主要特點：
&支持反激和降壓型拓撲應(yīng)用
&反激原邊控制（SEL 管腳懸空）
&準(zhǔn)諧振降壓控制 (SEL= GND)
&±4% 恒流、恒壓精度
&待機功耗<70mW
&多模式原邊控制方式
&工作無異音
&優(yōu)化的動態(tài)響應(yīng)
&可調(diào)式線損補償
&集成線電壓和負載電壓的恒流補償
&集成完善的保護功能：
短路保護 (SLP)
過溫保護 (OTP)
逐周期限流保護 (OCP)
前沿消隱 (LEB)
管腳懸空保護
VDD 過欠壓保護和箝位保護
&封裝形式 SOT23-6L
在原邊控制技術(shù)中，當(dāng)原邊向副邊傳輸能量時，通過采樣與副邊繞組耦合的輔助繞組電壓，得到輸出電壓反饋信號。開關(guān)電源芯片U6116內(nèi)部 CV 電壓采樣時序以及關(guān)鍵波形，隨著副邊電流的續(xù)流到零，存在著副邊續(xù)流二極管導(dǎo)通壓降 VF 的降低過程。為了通過輔助繞組獲得高精確的輸出電壓信息，芯片內(nèi)的恒壓采樣模塊屏蔽了由于漏感導(dǎo)致的關(guān)斷時刻的電壓振蕩。當(dāng)恒壓采樣過程結(jié)束時，內(nèi)部的采樣保持模塊記錄下反饋誤差并通過內(nèi)部的誤差運算放大器將其放大。原邊恒壓控制模塊利用誤差運算放大器的輸出實現(xiàn)高精度的恒壓輸出。芯片內(nèi)部恒壓輸出基準(zhǔn)為高精度的 2V。
合理選擇開關(guān)電源芯片，有助于改善系統(tǒng)效率；選擇合理的開關(guān)電源芯片供應(yīng)商，有助于減少時間和成本，獲得更大的投入產(chǎn)出比。聯(lián)系友恩半導(dǎo)體，一切皆有可能！