在小功率消費(fèi)類電子應(yīng)用中，反激式電源是主流，隨著電源功率密度的提高，為考量空間和成本帶來的壓力，一般電源管理IC設(shè)計(jì)師會(huì)把控制芯片和MOS封在一起，名曰“內(nèi)置MOS”，反激式原邊反饋電源芯片非常適合小功率段，同時(shí)天然提供了隔離的效果。
原邊反饋省去了431和光耦，主要為其應(yīng)用電路有效節(jié)省空間以及成本，在省去了這些元器件之后，為了實(shí)現(xiàn)高精度的恒流/恒壓（CC/CV）特性，必然要采用新的技術(shù)來監(jiān)控負(fù)載、電源和溫度的實(shí)時(shí)變化以及元器件的同批次容差，這就涉及到初級(jí)（原邊）調(diào)節(jié)技術(shù)、變壓器容差補(bǔ)償、線纜補(bǔ)償和EMI優(yōu)化技術(shù)。
銀聯(lián)寶科技原邊反饋內(nèi)置MOS芯片TB6806SA作在原邊檢測(cè)模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供了極為的自恢復(fù)保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS電阻開/短路保護(hù)等。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路和極低的芯片工作電流使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)。
芯片TB6806SA在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的Rs電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)；在恒壓模式，PFM工作模式可獲得較高的性能和效率。輕載時(shí)，該芯片采用較小的峰值電流工作以減小音頻噪聲。另外，輸出線電阻補(bǔ)償功能有助于獲得較好的負(fù)載調(diào)整率。
原邊反饋內(nèi)置MOS芯片TB6806SA的特點(diǎn)：
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
封裝：SOP-8
銀聯(lián)寶電子主營(yíng)：國(guó)產(chǎn)AC/DC系列電源芯片、LED芯片、鋰電充電IC芯片、傳感器應(yīng)用ic芯片、音頻功放IC等IC芯片，其產(chǎn)品具備性能優(yōu)良、性價(jià)比高、兼容性好等優(yōu)勢(shì)，可優(yōu)勢(shì)兼容例如昂寶、晶豐明源、士蘭微、啟達(dá)、矽力杰、硅動(dòng)力、芯茂微、微盟等品牌驅(qū)動(dòng)IC芯片，且腳位PIN對(duì)PIN，大多數(shù)品牌驅(qū)動(dòng)IC兼容替換之后PCB板不需做任何的改動(dòng)，并且測(cè)試參數(shù)比較其他品牌均有優(yōu)勢(shì)，已有多數(shù)廠商批量生產(chǎn)。