恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片包含了U8722AH、U8723AH、U8724AH三種型號，編帶盤裝，5000顆/卷，是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持220kHz開關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。
氮化鎵快充芯片U872XAH系列主要特性：
&集成高壓 E-GaN
&集成高壓啟動功能
&超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
&谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
&集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)
&驅(qū)動電流分檔配置
&集成 Boost 供電電路
&集成完備的保護(hù)功能：
VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護(hù) (OVP)
輸出欠壓保護(hù) (DEM UVP)
輸入過壓保護(hù) (LOVP)
輸入欠壓保護(hù) (BOP)
片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護(hù) (AOCP)
短路保護(hù) (SCP)
過載保護(hù) (OLP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護(hù)
&封裝類型 HSOP7-T
氮化鎵快充芯片U872XAH系列引腳說明：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳
4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
5 GND P 芯片參考地
6 VDD P 芯片供電管腳
7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵快充芯片U872XAH集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作， 維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，當(dāng)輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG 時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。