現(xiàn)在的芯片市場供應(yīng)較之去年有所好轉(zhuǎn)，但有些品類的芯片供應(yīng)仍然偏緊，特別是對于有特別要求且成本收緊的項目，依然有很大的需求空間。深圳銀聯(lián)寶科技的負端同步整流芯片U7710&U7711是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
負端同步整流芯片U7710&U7711支持“共地”同步整流配置，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。芯片輸出直接給VDD供電，無需輔助繞阻，省略了VDD電容，系統(tǒng)成本降低。芯片內(nèi)置智能開通檢測邏輯防止同步整流誤導(dǎo)通。
系統(tǒng)開機以后，負端同步整流芯片U7710&U7711內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向 VDD 電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.2V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（3.4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。
變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向 Vds 電壓遠小于 U771X 內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值，(典型值-200mV), 故經(jīng)過開通延遲（典型值 20nS）后內(nèi)部MOSFET開通。在同步整流MOSFET導(dǎo)通期間， 負端同步整流芯片U7710&U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值(典型值-6mV)，內(nèi)部 MOSFET 將在關(guān)斷延遲（Td_off，約20ns）后被關(guān)斷。
在內(nèi)部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏源(Drain-Source) 之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動作，負端同步整流芯片U7710&U7711內(nèi)部集成有前沿消隱電路 (LEB)。在LEB時間（約 1.12us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時間結(jié)束。
負端同步整流芯片U7710&U7711典型應(yīng)用于反激變換器、充電器中，可做5v2A、5v2.4A，SOP-8封裝，量大更優(yōu)！