氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！
當氮化鎵電源icU8765結溫超過TSD (典型值150℃)時，芯片停止工作，進入過熱保護。當芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下：
1 HV P 高壓啟動管腳
2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
3 Source P GaN FET 源極引腳
4 GND P 芯片參考地
5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測
8 VDD P 芯片供電管腳
9 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
10 NC -
氮化鎵電源icU8765主要特性：
* 集成高壓 E-GaN
* 集成高壓啟動功能
* 超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
* 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
* 集成 EMI 優(yōu)化技術
* 驅動電流分檔配置
* 集成 Boost 供電電路
* 集成完備的保護功能：VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護 (OVP)、輸入欠壓保護 (BOP)、片內過熱保護 (OTP)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過流保護 (AOCP)、短路保護 (SCP)、過載保護 (OLP)、過流保護 (SOCP)、前沿消隱 (LEB)、CS 管腳開路保護
氮化鎵電源icU8765能夠有效散熱，提高產品的可靠性和長壽命。U8765的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景！