快充和閃充只有1字之差，兩者有什么區(qū)別呢？閃充技術(shù)它采用了低高壓電流的形式，提升了手機(jī)的充電速度。而快充技術(shù)恰恰相反，采用了高低壓的電流，通過提升充電的電壓，最終提升手機(jī)的充電速率，從而縮短手機(jī)的充電時(shí)間，絕大多數(shù)的手機(jī)都采用了快充技術(shù)，這一技術(shù)相當(dāng)普及，在充電速度上得到了明顯的提升。今天要推薦給大家的，就是一款常見的PD快充icU6615！
PD快充icU6615結(jié)合了一個(gè)專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，可以縮短充電時(shí)間，為手機(jī)迅速補(bǔ)充電量。U6615低待機(jī)功率低功耗、低電磁兼容性和低成本。適用于12W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。U6615集成有多種保護(hù)功能：VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)、VDD 過壓保護(hù) (OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù) (SLP) 和 VDD箝位等。輸出規(guī)格為5、9、12-18W，應(yīng)用于PD/QC市場，VDD-40V max18W。
PD快充icU6615主要特點(diǎn)：
▲集成 650V MOSFET
▲±4% 恒流、恒壓精度
▲待機(jī)功耗<70mW
▲多模式原邊控制方式
▲工作無異音
▲優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
▲可調(diào)式線損補(bǔ)償
▲集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償
▲集成完善的保護(hù)功能
PD快充icU6615采用SOP-8封裝，還可以替代凌拓微的18W非標(biāo)電源方案芯片LT3509，引腳特征如下：
1 腳GND 芯片參考地。
2 腳VDD 芯片供電管腳。
3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時(shí)連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了PWM驅(qū)動(dòng)信號的占空比和CS管腳的關(guān)斷電壓。
4 腳CS 電流采樣輸入管腳
5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。
其實(shí)快充和閃充，在原理上并沒有實(shí)質(zhì)性的區(qū)別，兩者都是為了充滿一塊等容的電池，只要功率大充電速度就會(huì)更快，從而耗費(fèi)的時(shí)間有所縮短?？斐浜烷W充技術(shù)的推出就是為了給用戶帶來更好的體驗(yàn)，提升手機(jī)的充電速率。再搭配深圳銀聯(lián)寶科技的這顆PD快充icU6615，更加給力！