同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導(dǎo)通損耗，高集成度設(shè)計減少外圍元件需求，簡化了電路布局！
在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF(典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。
同步整流芯片U7610B特點：
&內(nèi)置 60V MOSFET
&支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式
&集成高壓供電電路，無需 VDD 輔助繞組供電
&支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域
&支持 High Side 和 Low Side 配置
&<30ns 開通和關(guān)斷延時
&智能開通檢測功能防止誤開通
&智能過零檢測功能
&啟動前 Gate 智能鉗位
&封裝類型 SOP-8
&管腳名稱：
1、2 GND G IC 參考地
3 VDD P IC 供電引腳，VDD 到 GND 建議放置一個 1μF 的貼片陶瓷電容
4 NC -
5、6、7、8 SW P 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極
同步整流芯片U7610B是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7610B的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。
深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的同步整流芯片，一直在推動PD快充、服務(wù)器電源等場景的能效認證，優(yōu)化電路可靠性?，開發(fā)低成本、高可靠性同步電源方案，利用效率優(yōu)勢強化市場競爭力，獲得了很多客戶青睞，是同步整流芯片甄選供應(yīng)商！