氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話題。在許多應(yīng)用中，GaN能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式ACDC功率開(kāi)關(guān)PD快充芯片U8724AH，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓快速充電器、適配器的應(yīng)用場(chǎng)景！
PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持220kHz開(kāi)關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
PD快充芯片U8724AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障 GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8724AH通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。
PD快充芯片U8724AH系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開(kāi)通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。
PD快充芯片U8724AH采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿(mǎn)載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8724AH采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無(wú)噪音。
PD快充芯片U8724AH通過(guò)進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)頻率，減小開(kāi)關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率，可以簡(jiǎn)化許多挑戰(zhàn)，從而使您可以專(zhuān)注于更廣泛的電源系統(tǒng)管理！