深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下：
1 GND P 芯片參考地
2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
6 VDD P 芯片供電管腳
7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
氮化鎵快充芯片U8722SP主要特征：
1.集成 高壓 E-GaN
2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能
3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW
4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)
5.集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)
6.驅(qū)動(dòng)電流分檔配置
7.集成 Boost 供電電路
8.集成完備的保護(hù)功能：
VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)
輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)
輸出欠壓保護(hù) (DEM UVP)
輸入過(guò)壓保護(hù) (LOVP)
輸入欠壓保護(hù) (BOP)
片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)
短路保護(hù) (SCP)
過(guò)載保護(hù) (OLP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開(kāi)路保護(hù)
在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,，停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過(guò)VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V) 時(shí)，氮化鎵快充芯片U8722SP重新開(kāi)始開(kāi)關(guān)動(dòng)作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。
GaN氮化鎵產(chǎn)品的高壓特性，在封裝設(shè)計(jì)過(guò)程對(duì)設(shè)計(jì)要求與其他IC有明顯的差異。深圳銀聯(lián)寶科技充分考慮芯片本身的性能需求、以及客戶(hù)的差異化需求，推出了不同封裝的氮化鎵快充芯片，更好的服務(wù)于客戶(hù)！