2、工作原理
3、特性曲線
4、其它類型MOS管
(1)N溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時，由于正離子的作用，兩個N區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場效應(yīng)管)。
(2)P溝道增強型：VGS = 0時，ID = 0開啟電壓小于零，所以只有當(dāng)VGS < 0時管子才能工作。
(3)P溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的負(fù)離子，所以即使在VGS=0 時，由于負(fù)離子的作用，兩個P區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場效應(yīng)管)。
5、場效應(yīng)管的主要參數(shù)
(1) 開啟電壓VT ：在VDS為一固定數(shù)值時，能產(chǎn)生ID所需要的小 |VGS | 值。(增強)
(2) 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數(shù)值時，使 ID對應(yīng)一微小電流時的 |VGS | 值。(耗盡)
(3) 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時，管子發(fā)生預(yù)夾斷時的漏極電流。(耗盡)
(4) 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。
(5) 低頻跨導(dǎo) gm ：表示VGS對iD的控制作用。
(6) 大漏極電流 IDM
(7) 大漏極耗散功率 PDM
(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS
