電源管理芯片，是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測(cè)及其他電能管理的職責(zé)的芯片。主要負(fù)責(zé)識(shí)別CPU供電幅值，產(chǎn)生相應(yīng)的短矩波，推動(dòng)后級(jí)電路進(jìn)行功率輸出。常用電源管理芯片有TB5806、TB5812、TB6812、TB6818、TB6806、TB3865等。
主要電源管理芯片有的是雙列直插芯片，而有的是表面貼裝式封裝，其中TB68XX系列芯片是比較經(jīng)典的電源管理芯片，由深圳市銀聯(lián)寶自主研發(fā)。它支持充電器，電源適配器，LED驅(qū)動(dòng)電源，功率輸出范圍是6W~18W，能為0.025V的間隔調(diào)整輸出，開關(guān)頻率高達(dá)65KHz，具有電源大、紋波小、內(nèi)阻小等特點(diǎn)，能精密調(diào)整CPU供電電壓。
銀聯(lián)寶科技的電源管理芯片TB6818特點(diǎn)：
①TB6818是一個(gè)高性能、高度集成QR(準(zhǔn)諧振模式)原邊控制(PSR)小功率開關(guān)電源IC。
②TB6818專有super-QR / PSRTM控制效率高、低電磁干擾,可確保系統(tǒng)滿足EPS 6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。
③TB6818內(nèi)置電纜補(bǔ)償功能。
④TB6818使用VCS多模式控制來提率和可靠性,并降低音頻噪聲與輕載功。
⑤TB6818還集成了“輸出短路頻率限制和VCS限制”短路發(fā)生時(shí)限制MOS功率及MOSFET Vds峰值。
⑥TB6818集成多種保護(hù)功能：FB短保護(hù),欠壓鎖定(UVLO),VDD過壓保護(hù)(VDD OVP)、輸出過壓保護(hù)(OVP輸出),軟啟動(dòng),逐周期限流((OCP),拼腳開路保護(hù)。
⑦TB6818采用較小的SOP7封裝，內(nèi)置3A 650V功率MOSFET。TB6818滿足EPS 6級(jí)
⑧TB6818采用專有的驅(qū)動(dòng)開通方式和谷底導(dǎo)通方式，極大的提高了效率和降低了EMI諧波分量。
⑨TB6818內(nèi)置高低壓平衡補(bǔ)償，CC和CV精度達(dá)±5%。
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