- [公司新聞]小于30mW超低待機(jī)功耗氮化鎵快充芯片U87652024年10月29日 14:42
- 相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是決定待機(jī)功耗最重要的一環(huán)。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。 氮化鎵快充芯片U8765主要特性： 集成高壓 E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖
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