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: 原邊20W開關(guān)電源芯片 U6116

原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
更多 +

: 60W系列 12V5A六級能效方案

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
更多 +

: 12W系列 12V1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 5W系列 5V1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
更多 +

: 原邊12W開關(guān)電源芯片TB6806D

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 副邊65W開關(guān)電源芯片 TB3865

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
更多 +

: 原邊25W開關(guān)電源芯片 TB6825

原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 TB5806

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
更多 +

: 原邊12W開關(guān)電源芯片 U6117D

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6772S

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置反饋腳（FB）電路保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5928S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
更多 +

: 原邊9W開關(guān)電源芯片 SF5926S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF5922S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5930

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
更多 +

: 原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護(hù)
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 U6215

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
更多 +

: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6022

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作，
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復(fù)間隙
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過壓保護(hù)及鉗位
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