- [公司新聞]PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢2024年12月19日 10:26
- 氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對較小的尺寸上輸出更大的功率。在當下眾多需要小型化且高功率輸出的場景中，其價值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。 PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS
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