- [公司新聞]PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗2024年10月31日 10:58
- GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間，從而降低了死區(qū)損失，提高了效率。GaN的開關(guān)頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無(wú)源器件的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更平滑的電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN設(shè)計(jì)。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。 ■集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能 PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mo
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