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PFC肖特基 PTR30L80CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開
- [關(guān)于產(chǎn)品]關(guān)于肖特基二極管的使用事項————銀聯(lián)寶科技2018年09月07日 14:44
- 一、對于浪涌電壓或浪涌電流比較大的應(yīng)用電路應(yīng)該加抑制和吸收電路。 二、應(yīng)用電路的峰值工作電壓應(yīng)小于肖特基二極管的高反向擊穿電壓Vrrm。 三、應(yīng)用電路內(nèi)的肖特基二極管的實際工作溫升應(yīng)小于肖特基二極管的高結(jié)溫Tjmax。 四、小于肖特基二極管的正向額定電流IF。 五、對于比較苛刻的環(huán)境，為了保證可靠性，肖特基二極管應(yīng)降額使用。 六、肖特基二極管的代換盡量選用原型號、因為不同的型號的肖特基正向壓降VF和反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR都不同。 了解完肖特基二極管的應(yīng)用事項后，
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