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: PWM控制功率開關電源芯片U3210

集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓撲
默認 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護功能：
過載保護 (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過壓保護 (OVP)
VDD 過壓、欠壓和電壓箝位保護
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: 副邊15W開關電源芯片 U6203D

效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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: 原邊10W開關電源芯片TB6810

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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: 原邊18W開關電源芯片TB6818

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補償，省去額外的補償或濾波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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: 原邊12W開關電源芯片TB6806D

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 原邊10W開關電源芯片TB6806SA

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
更多 +

: 原邊5W開關電源芯片TB6806S

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
更多 +

: 原邊15W開關電源芯片U6118

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
更多 +

: 副邊15W開關電源芯片 TB3815

效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
更多 +

: 原邊12W開關電源芯片 TB6812

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
更多 +

: 副邊65W開關電源芯片 TB3865

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
更多 +

: 副邊90W開關電源芯片TB3890

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
更多 +

: 原邊25W開關電源芯片 TB6825

原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
更多 +

: 原邊6W開關電源芯片 TB5806

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護
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: 原邊12W開關電源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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: 副邊75W開關電源芯片U6101D

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
更多 +

: 副邊75W開關電源芯片U6101S

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
更多 +

: 原邊13W開關電源芯片 U6773S

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
更多 +

: 開關電源芯片U6113

±3%LED恒流精度
恒流輸出值可調(diào)
1%線電壓補償精度
優(yōu)異地保護功能
過溫保護（OTP）
逐周期過流保護（OCP
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: 開關電源芯片U6112

內(nèi)置650V MOSFET。
LED開路/短路保護。
內(nèi)置線輸入電壓恒流補償。
工作電流，4%恒流精底。
內(nèi)置快速啟動電路，啟動電流，管腳浮空保護。
更多 +

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