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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101D

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
更多 +

: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101S

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
更多 +

: 12V 1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度。
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539HT

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1538

副邊反饋/內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1565

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1560

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
更多 +

: 副邊50W開關(guān)電源芯片 SF1530

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
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: 原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T

原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊18W開關(guān)電源芯片 SF5549H

副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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: 隔離36W開關(guān)電源芯片 SFL950

提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H

效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
更多 +

: 24W系列 12V2A能效六級方案

提高系統(tǒng)效率，異音
內(nèi)置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足六級能效
啟動電流
QR技術(shù)提高全負載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動EMI
更多 +

: 18W系列12V1.5A能效六級方案

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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: 65W系列 19V3.42A能效六級方案

優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足六級能效
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動EMI
更多 +

: 48W系列 48W能效六級方案

提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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: 5W系列 5V1A能效六級方案

QR-PSR控制提高工作效率
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
更多 +

: 10W系列 5V2A能效六級方案

±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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