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原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關(guān)電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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副邊50W開關(guān)電源芯片 SF5773
品牌：銀聯(lián)寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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10W系列5V2A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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12W系列 5V2.4A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
- [公司新聞]充電器ic U7576滿足快速啟動和低待機應用需求2025年04月17日 14:15
- 深圳銀聯(lián)寶充電器icU7576通過HV高壓引腳實時檢測交流輸入狀態(tài)，市電斷開時觸發(fā)內(nèi)部放電邏輯，集成了輸出欠壓(BOP)與輸入掉電、X電容放電功能，解決了X電容放電電阻引起的待機損耗問題。采用SOP-8封裝，HV引腳集成650V VDMOS，提升了耐壓性能！ 充電器icU7576主要特點： 1.集成高壓啟動功能 2.集成 AC 輸入掉電檢測與X電容放電功能 3.可支持斷續(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù) 4.±5%恒流精度；±1%恒壓精度 5.待機功
- 閱讀（2） 標簽：
- [公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率2025年04月17日 10:55
- 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實時監(jiān)測負載狀態(tài)，自動調(diào)節(jié)MOSFET的開關(guān)頻率，輕載或空載時降低頻率（如待機狀態(tài)），減少開關(guān)損耗，典型待機功耗可低于50mW；重載時提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓啟動電路和超低待機功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個500V高壓啟動單元。在開機過程中該啟動單元開始工作，從Drain端取電并通過高壓電流源對VDD電容進行充電，如“功能模塊”中所述。當VDD電壓上升至
- 閱讀（2） 標簽：
- [公司新聞]氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W2025年04月10日 11:19
- 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS耐壓700V，采用ESOP-7，編帶盤裝，5000顆/卷，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 氮化鎵電源芯片U8722FE采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]無需輔助繞組的電流過零檢測電源芯片U61132025年03月31日 10:48
- 無需輔助繞組的電流過零檢測技術(shù)，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數(shù)量，還能準諧振模式降低開關(guān)損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護、過熱保護等多重安全機制?？偟膩碚f，可顯著簡化電路設(shè)計，同時滿足高精度、高可靠性的應用需求。銀聯(lián)寶電源芯片U6113具備此功能！ 為了保證系統(tǒng)工作在準諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧
- 閱讀（8） 標簽：
- [公司新聞]電源ic U5402內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護功能 增強系統(tǒng)可靠性2025年03月28日 10:02
- 電源icU5402通過硬件電路實現(xiàn)雙通道輸入的信號互鎖，確保高低側(cè)驅(qū)動信號無法同時導通，避免功率器件（如MOSFET/IGBT）因直通電流導致短路損壞。U5402具有完善保護功能，包括：輸入浮空或輸入脈沖寬度不足時，輸出保持低電平。內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護功能，可防止高低側(cè)驅(qū)動同時打開，同時具有高側(cè)和低側(cè) UVLO 保護，系統(tǒng)可靠性強。 電源icU5402典型應用： ▲功率 MOSFET / IGBT 驅(qū)動器 ▲電機驅(qū)動應用，家電 ▲照明, LED 電源 ▲感應加熱 ▲DC-AC
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]“芯”產(chǎn)品開箱——12v1a充電器芯片U6203D2025年03月21日 14:55
- 華為手機新品Pura X，稱為全球首款闊折疊屏手機，折疊起來，就變成小手機，合上很小巧，正面和背面都有屏幕。它還能擴屏使用，橫過來用就像平板一樣體驗。這款新品為折疊屏手機的發(fā)展打開了新思路，或許會為未來的手機和手機配件市場注入新活力。深圳銀聯(lián)寶科技一如既往為各位小伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的手機充電器芯片，誠意推薦這顆12v1a充電器芯片U6203D！ 12v1a充電器芯片U6203D是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動，內(nèi)置4A高壓MOS，適合應用于高性能、低待機功耗、低成本離線
- 閱讀（10） 標簽：
- [公司新聞]PD快充寬電壓應用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45
- 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導通損耗，高集成度設(shè)計減少外圍元件需求，簡化了電路布局！? 在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制
- 閱讀（18） 標簽：
- [公司新聞]電源管理IC U8623采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果2025年03月13日 14:52
- 芯片在實現(xiàn)數(shù)據(jù)處理、存儲和傳輸?shù)裙δ艿倪^程中，會伴隨電阻、電容、電感等能量損耗，這些損耗會被轉(zhuǎn)化為熱能，因此會產(chǎn)生大量熱量。過高的溫度會影響電子設(shè)備工作性能，甚至導致電子設(shè)備損壞。今天推薦的電源管理ICU8623采用SOP-8封裝，并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果，從而提高了散熱效率，積極保護電子設(shè)備。 電源管理ICU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]實時評測皆好評的充電器芯片SF1538DP2025年03月03日 15:30
- 隨著消費者對手機攝影要求的不斷提高，傳感器尺寸的進一步增加成為廠商們探索的方向，對手機的內(nèi)部空間提出了不小的挑戰(zhàn)。而手機充電器的內(nèi)部空間，可以選擇深圳銀聯(lián)寶開發(fā)的充電器芯片，體積小效率高，讓總體設(shè)計更為靈活，或許是個不錯的解決方案。今天推薦的是SF1538DP！ 充電器芯片SF1538DP封裝形式DIP-8，內(nèi)置高功率MOSFET管，耐壓650V；可編程外部過溫保護OTP，專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗；內(nèi)置4ms軟啟動，管腳浮空保
- 閱讀（8） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關(guān)斷損耗2025年02月27日 11:11
- 同步整流芯片會實時監(jiān)測電路中的相關(guān)參數(shù)，比如電壓、電流等信號。一旦檢測到滿足開通或者需要關(guān)斷的條件，芯片內(nèi)部的控制電路會生成一個驅(qū)動或者關(guān)斷信號，以確保電路的正常運行，減少損耗。同步整流芯片在開通和關(guān)斷階段的精確控制，對于提高開關(guān)電源的效率和性能起著至關(guān)重要的作用。讓我們看看同步整流芯片U7110W是如何控制的！ 變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流內(nèi)置MOSFET的溝道處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(-500
- 閱讀（16） 標簽：
- [公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性2025年02月20日 10:08
- 在全負載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時，在空載狀態(tài)下，U8621的低功耗特性得以體現(xiàn)，滿足了六級能效標準，有效避免了能源的無謂消耗，對于電子設(shè)備的應用而言，是非常值得推薦的一顆芯片！ 電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優(yōu)點。U8621在一
- 閱讀（11） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U7612可搭配不同快充應用主控2025年02月17日 14:48
- 同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開關(guān)管同步工作，避免了二極管反向恢復時間產(chǎn)生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產(chǎn)品更易通過電磁兼容性測試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 同步整流芯片U7612內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。主要特征有： ●內(nèi)置 60V MOSFET ●支持 DCM、QR 和
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