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原邊13W開關電源芯片 SF6773V
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
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隔離36W開關電源芯片 SFL950
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提高系統(tǒng)效率,異音。
內置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式,無光耦,無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<75mW。
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副邊50W開關電源芯片 SF5773
品牌:銀聯(lián)寶電子更多 +
型號:SF5773 SSR控制模式,
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<75mW。
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副邊15W開關電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統(tǒng)效率,異音更多 +
內置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術提高全負載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
內置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
內置逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優(yōu)化降頻技術提率更多 +
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置頻率抖動EMI
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60W系列 12V5A能效六級方案
更多 +
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
待機功耗小于75mW
自動補償輸入電壓.電感感量變化
自動補償輸入電壓.電感感量變化
啟動電流
前沿消隱
內置斜率補償
逐周期電流限制
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48W系列 48W能效六級方案
提高系統(tǒng)效率,異音。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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10W系列5V2A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
±5%恒壓恒流精度
內置反饋腳(FB)短路保護
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’,待機<75mW
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態(tài)響應控制,無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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5V1.5A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<70mW。
內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
VDD欠壓保護,VDD過壓保護及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置快速動態(tài)響應控制,無異音工作。
輸出過壓保護,VDD欠壓保護,VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級方案
專利QR控制,提高系統(tǒng)效率,異音。更多 +
效率滿足六級能效要求。
內置頻率抖動EMI。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
內置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度。
內置反饋腳(FB)短路保護
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’,待機<75mW
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態(tài)響應控制,無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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12W系列 5V2.4A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
±5%恒壓恒流精度
內置反饋腳(FB)短路保護
- [公司新聞]30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH2025年05月20日 10:24
- CS管腳通常用于采樣電感電流,實現(xiàn)峰值電流控制,并且可以限制最大輸入電流,從而實現(xiàn)過流保護功能。此外,CS管腳還可以用于設定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻,可以設定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復用CS管腳以設定系統(tǒng)最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時,氮化鎵電源icU8724AH通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結束后系統(tǒng)鎖定,每一次啟
- 閱讀(3) 標簽:
- [公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護電路安全運行2025年05月19日 11:36
- 過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳,當欠壓保護被觸發(fā)時,該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài),可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP),先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征: 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運放輸出,在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡用于調節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、
- 閱讀(1) 標簽:
- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優(yōu)化功能,在輕載模式下,芯片將原邊開通速度減半(如配置為特定驅動電流檔位時),減緩開關動作的瞬態(tài)變化,從而減小次級側SR器件的電壓尖峰,通過分壓電阻設置驅動電流檔位(三檔可選),平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度,減少高頻噪聲和應力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征: ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流,待機功耗 30mW ▲谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可調(
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