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熱門關(guān)鍵詞： 電源ic PD協(xié)議芯片開關(guān)電源芯片電源管理芯片電源IC 充電器芯片適配器方案肖特基二極管 MOS管 MOS管 AP3401 SOT23

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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101D

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101S

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: U321

靜態(tài)工作電流、過載保護 (OLP/ )/ 短路保護
高壓啟動電路和待機功耗（ <50mW ）
逐周期峰值電流限制和前沿消隱、軟驅(qū)動電路
多模式 PWM 控制、軟啟動、輸出過壓保護（ OVP ）
異常過流保護（ AOCP ）、VDD過壓保護 (OVP)
過熱保護、優(yōu)化的動態(tài)響、可聞噪音
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: U3012(DIP-8)

內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無需外圍補償網(wǎng)絡(luò)能達到穩(wěn)定的動態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達到 85%）
外接一個小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個微調(diào)頻點以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SO-8
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: U3012(SOP-8)

內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無需外圍補償網(wǎng)絡(luò)能達到穩(wěn)定的動態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達到 85%）
外接一個小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個微調(diào)頻點以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SOP-8
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: 原邊13W開關(guān)電源芯片 U6773S

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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: 開關(guān)電源芯片U6113

±3%LED恒流精度
恒流輸出值可調(diào)
1%線電壓補償精度
優(yōu)異地保護功能
過溫保護（OTP）
逐周期過流保護（OCP
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: 開關(guān)電源芯片U6112

內(nèi)置650V MOSFET。
LED開路/短路保護。
內(nèi)置線輸入電壓恒流補償。
工作電流，4%恒流精底。
內(nèi)置快速啟動電路，啟動電流，管腳浮空保護。
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: 12V 1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度。
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: 原邊18W開關(guān)電源芯片 U6217S

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補償，省去額外的補償或濾波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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: PFC肖特基 PTR20V100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20100CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR20100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR2045CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 P15V50SP

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR10L300CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS10L60CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS10L60

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTS5L100

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

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