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熱門關(guān)鍵詞： 電源ic PD協(xié)議芯片開關(guān)電源芯片電源管理芯片電源IC 充電器芯片適配器方案肖特基二極管 MOS管 MOS管 AP3401 SOT23

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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6072

原邊反饋/內(nèi)置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V輸出電壓
?內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6010N

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5928S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
更多 +

: 原邊9W開關(guān)電源芯片 SF5926S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF5922S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1565

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
更多 +

: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1560

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF5897

滿足六級能效
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
輸出過壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊70W開關(guān)電源芯片 SF5887

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護(hù)
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
啟動電流
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊50W開關(guān)電源芯片 SF1530

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護(hù)
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
更多 +

: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5930

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
更多 +

: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
更多 +

: 原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: PFC肖特基 P10V45SP

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR20L80CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS5A60

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR20L200CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR30L80CT

更多 +

: PFC肖特基 PFR10L200CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR30L80CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開
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