提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗(yàn)，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱量，還可能會(huì)對設(shè)備的穩(wěn)定性和壽命造成不良影響。因此，在設(shè)計(jì)芯片時(shí)，需要在提升工作頻率與降低功耗和發(fā)熱量之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。深圳銀聯(lián)寶科技的25W氮化鎵快充芯片U8723AH，推薦的RSEL電阻值在1kΩ，最高頻率限制220kHz；在2kΩ時(shí)，最高頻率限制130kHz，一起詳細(xì)了解下。

氮化鎵快充芯片U8723AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接詳見規(guī)格書。芯片啟動(dòng)時(shí)，通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。U8723AH采用HSOP7-T3封裝，腳位名稱如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳。

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳。

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳。

4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳。

5 GND P 芯片參考地。

6 VDD P 芯片供電管腳。

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動(dòng)供電管腳。

針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵快充芯片U8723AH集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時(shí)，Boost電路啟動(dòng)工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，當(dāng)輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí)，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值0.4V)時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值0.5V/0.7V)時(shí)，氮化鎵快充芯片U8723AH重新開始開關(guān)動(dòng)作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。

芯片工作頻率作為衡量芯片性能的重要指標(biāo)之一，在電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，在追求高性能的同時(shí)，我們也需要關(guān)注其帶來的能耗和散熱問題，銀聯(lián)寶25W氮化鎵快充芯片U8723AH，有利于平衡各方面的需求，是一個(gè)高效且合理的電源解決方案！