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5V2A高端QC充電器芯片選型指南,你都學(xué)會了嗎?

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2019-06-05 18:17:24【

四年前,大部分千元手機都配備了5V2A的充電頭,在當時也被稱之為“快充”當時要比某果的5V1A快很多,所以也被稱之為代快充,不過在之后因為技術(shù)的更新升級,5V2A已經(jīng)不能叫做快速充電了,而是更改為普通充電了,雖然現(xiàn)在市場上的很多高端旗艦機都標配快充技術(shù)也就是QC3.0,但是市場主流的話還是有很多的5V2A的充電器,今天主要也是講解該型號的選型。(電源芯片)



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1、5V 2A大充電功率10W,充滿一塊3000mAh電池手機大概需要2小時20分鐘,一小時充1200mAh,以它充電的速度是不符合快充標準。

2、工信部發(fā)表了我國首部快充標準。“快充”的定義為:充電30分鐘,電流≥3A或者總充電量≥60%。協(xié)議種類共包括高通、華為、USB PD、MTK和VOOC閃充五大標準,很明顯5v 2A未達標。

一、手機快充的三大要素:

手機上要實現(xiàn)快充功能需要滿足三要素,三者缺一不可。充電器、電池、charge IC。充電器需要滿足足夠的輸出電流以及輸出電壓,因為充電器的走線有很大的寄生電阻,如果要實現(xiàn)較大的充電電流,充電器的帶載輸出電壓需要較高。

目前手機快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。

1、VOOC閃充技術(shù)采用低電壓高電流模式,保證了充電過程中的性。

2、高通Quick Charge 2.0技術(shù)是Quick Charge 1.0的升級版本,采用了新的規(guī)范。通過同時加大電流與電壓的方法來提高充電速度。

3、聯(lián)發(fā)科的快速充電新技術(shù)Pump Express內(nèi)置于PMIC的電源管理集成電路。允許充電器根據(jù)電流決定充電所需的初始電壓,由PMIC發(fā)出脈沖電流指令通過USB的Vbus傳送給充電器,充電器依照這個指令調(diào)變輸出電壓,電壓逐漸增加高達5V達到大充電電流。

但是充電技術(shù)越快,噪音也就相應(yīng)越大,這是一個不變的問題,有動能,就會產(chǎn)生聲音,一款優(yōu)良的產(chǎn)品需要客服諸多的問題,比如這聲音問題    


究竟噪音的來源是什么?銀聯(lián)寶科技電源管理芯片的異音做了基本分析:

 1.因電容材料介電系數(shù)的不同,而產(chǎn)生的機械式震蕩現(xiàn)象,進而發(fā)出噪音

 2.由于電感鐵心的磁感率的不同,與頻率的變異,而產(chǎn)生的機械式震蕩現(xiàn)象,進而發(fā)出噪音

 3.因材料間的絕緣不良,而造成電暈放電,進而產(chǎn)生噪音

 4.鐵心因磁場不平衡而產(chǎn)生磁力線拉扯,而產(chǎn)生的機械式震蕩現(xiàn)象,進而發(fā)出噪音


而我本人的建議則是 變壓器要采用均勻浸漬,從而能有效填充線圈與線圈之間、線圈與骨架之間、骨架與磁芯之間的固有空隙,降低活動部件發(fā)生位移的可能性,必要時可以再磁性元件與線路板接觸面填充白膠或噴涂三防漆,進一步減小機械振動的空間,有效降低噪聲。


有一款U6117非常合適  

它擁有 效率滿足六級能效要求 
低待機功耗小于70mW 
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET 
QR-PSR控制提高工作效率 

當然還有更多的產(chǎn)品   

TB5812作為5V2A的領(lǐng)頭羊 擁有更好的性能  V 2A充電器電源IC TB5812,外圍元件少,比較簡單,內(nèi)部集成了700V高雪崩能力的功率BJT。TB5812 采用多模式加QR控制,調(diào)幅控制和調(diào)頻控制相結(jié)合,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。恒流流輸出模式中,芯片采用調(diào)頻控制方式,同時集成了線電壓和負載電壓的恒流補償。采用TB5812可以工作無異音,同時保證優(yōu)異的動態(tài)性能。
5V 2A充電器電源IC TB5812的特點:
QR-PSR控制提高工作效率 
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式 
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<75mW 
內(nèi)置專利的線損電壓補償 

封裝:SOP-7

以上都有GET嗎  沒有的話 可以直接撥打我們熱線來詢問喲  

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