700V/365mΩ高壓?jiǎn)?dòng)GaN快充芯片U8609
GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz,700V/365mΩ,采用DASOP-7封裝,主推12V3A,合封第三代半導(dǎo)體GaN FET,有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù),通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng),以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。
GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí),U8609通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定,每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。
在手機(jī)充電器的應(yīng)用中,電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連,由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。GaN快充芯片U8609內(nèi)置線損補(bǔ)償功能,根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量,從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span>3%。
GaN快充芯片U8609集成外置NTC功能,NTC引腳外接NTC電阻,通過(guò)內(nèi)部上拉電流源上拉,檢測(cè)NTC引腳電壓,當(dāng)判定NTC管腳電壓小于VOTP時(shí),觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)功能。過(guò)溫保護(hù)設(shè)置0.1V的遲滯區(qū)間。
系統(tǒng)異常狀態(tài)下(如副邊整流管短路,變壓器繞組短路),當(dāng)功率開(kāi)關(guān)的峰值電流達(dá)到AOCP的閾值VCS_AOCP (典型值 -1.2V)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入AOCP保護(hù)模式,降低系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率,如果連續(xù)三個(gè)開(kāi)關(guān)周期觸發(fā)AOCP狀態(tài)后,GaN快充芯片U8609系統(tǒng)進(jìn)入自動(dòng)重啟保護(hù)模式保護(hù)模式。
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