充電器芯片SF1538DP極大提高了ic利用率
充電器芯片SF1538DP內(nèi)置4ms軟啟動，管腳浮空保護(hù)，高效高保護(hù)，極大的提高了ic 的利用率，是一顆暢銷ic。腳位分析如下：
1 RT 此引腳是控制開關(guān)頻率。
2 VDD 芯片供電腳。
3 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至 FB 管腳，用于CV 模式輸出電壓控制及 CC 模式輸出電流控制。
4 CS 電流采樣輸入腳。
5-6 Drain 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。
7-8 GND 芯片參考地。
充電器芯片SF1538DP主要特點：
1、內(nèi)置高功率MOSFET管，耐壓650V
2、可編程外部過溫保護(hù)OTP
3、專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
4、內(nèi)置軟啟動，管腳浮空保護(hù)
5、超低啟動電流
6、內(nèi)置頻率抖動改善EMI
7、內(nèi)置同步斜率補償，逐周期電流限制
8、內(nèi)置前沿消隱
充電器芯片SF1538DP應(yīng)用場景：
1、手持?jǐn)?shù)碼適配器
2、電視/電腦輔助電源
3、手機/平板充電器
4、LED驅(qū)動電源
5、替代線性電源
副邊反饋內(nèi)置MOS充電器芯片SF1538DP最大輸出功率15W，封裝DIP-8。需要更多詳細(xì)資料的小伙伴請聯(lián)系400-778-5088！
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