超精簡的快充方案芯片TB6818
一、概述
快充電源方案TB6818是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置 650V高壓功率MOSFET，應(yīng)用于功率在18W以內(nèi)的方案。
在 PWM模式下工作于固定開關(guān)頻率，這個頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時，工作頻率由IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。
快充電源方案TB6818在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發(fā)生，系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對電路的影響。
快充電源方案TB6818采用了抖頻技術(shù)，能夠有效系統(tǒng)的 EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。
快充電源方案TB6818內(nèi)置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP）， VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動控制。
二、特點
1.全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機功耗小于 100mW
2.內(nèi)置650V 高壓功率管
3.4ms軟啟動用來減少MOSFET 上Vds的應(yīng)力
4.抖頻功能，EMI性能
5.跳頻模式，輕載效率，減小待機功耗
6.無噪聲工作
7.固定65KHz開關(guān)頻率
8.內(nèi)置同步斜坡補償
9.低啟動電流，低工作電流
10.內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
11.過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）
12.VDD 過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD電壓箝位，過溫保護（OTP）
快充電源方案TB6818是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置 650V高壓功率MOSFET，應(yīng)用于功率在18W以內(nèi)的方案。
在 PWM模式下工作于固定開關(guān)頻率，這個頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時，工作頻率由IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。
快充電源方案TB6818在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發(fā)生，系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對電路的影響。
快充電源方案TB6818采用了抖頻技術(shù)，能夠有效系統(tǒng)的 EMI性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。
快充電源方案TB6818內(nèi)置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP）， VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動控制。
二、特點
1.全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機功耗小于 100mW
2.內(nèi)置650V 高壓功率管
3.4ms軟啟動用來減少MOSFET 上Vds的應(yīng)力
4.抖頻功能，EMI性能
5.跳頻模式，輕載效率，減小待機功耗
6.無噪聲工作
7.固定65KHz開關(guān)頻率
8.內(nèi)置同步斜坡補償
9.低啟動電流，低工作電流
10.內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
11.過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）
12.VDD 過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD電壓箝位，過溫保護（OTP）
13.SOP8無鉛封裝
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