目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵產(chǎn)品能耗低，充電效率高，體積小、輕便等優(yōu)勢(shì)在快充電源市場(chǎng)的比重越來(lái)越高，比如深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的氮化鎵快充芯片U8722AH，就在電源應(yīng)用市場(chǎng)上有著不錯(cuò)的口碑！

氮化鎵快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722AH的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流可配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。

氮化鎵快充芯片U8722AH主要特征：

* 集成 650V E-GaN

* 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

* 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

* 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

* 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

* 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

* 集成 Boost 供電電路

* 集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過(guò)載保護(hù) (OLP)

過(guò)流保護(hù) (SOCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開(kāi)路保護(hù)

* 封裝類型HSOP-7

調(diào)研數(shù)據(jù)表明，氮化鎵器件的效率可以提高幾個(gè)百分點(diǎn)，因此可以開(kāi)發(fā)出更小的封裝、更容易散熱的設(shè)計(jì)、更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間以及更小的損耗。深圳銀聯(lián)寶科技大量投入產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和技術(shù)儲(chǔ)備，在保持原有的氮化鎵快充芯片方案品質(zhì)上，不斷完善，不斷突破，希望以最好的產(chǎn)品迎接市場(chǎng)的檢驗(yàn)！