PCB設(shè)計(jì)對電源的 EMI，ESD 等性能有顯著影響，以15W充電器芯片U2313A為例，設(shè)計(jì)原邊回路時建議參考以下的內(nèi)容。

1. 原邊主功率環(huán)路(Loop1)的面積應(yīng)盡可能小，同時走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。

2. RCD吸收回路(Loop2)的面積應(yīng)盡可能小。

3. VDD電容C3應(yīng)緊貼芯片，保證VDD回路(Loop3)的面積盡可能小。

4. 如Line1所示，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對于芯片的干擾。

5. 如Line2所示，VDD電容C3及FB下 R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。

在原邊控制技術(shù)中，當(dāng)原邊向副邊傳輸能量時，通過采樣與副邊繞組耦合的輔助繞組電壓，得到輸出電壓反饋信號。15W充電器芯片U2313A內(nèi)部的電壓采樣、消磁檢測和諧振谷底觸發(fā)的關(guān)鍵波形。當(dāng)恒壓采樣過程結(jié)束時,內(nèi)部的采樣保持模塊記錄下反饋誤差并通過內(nèi)部的誤差運(yùn)算放大器將其放大。原邊恒壓控制模塊利用誤差運(yùn)算放大器的輸出實(shí)現(xiàn)高精度的恒壓輸出。芯片內(nèi)部恒壓輸出基準(zhǔn)為VFB_REF (典型值1.25V)。

當(dāng)PWM開啟時，通過檢測FB流出的電流，15W充電器芯片U2313A可以實(shí)現(xiàn)線電壓的過壓及欠壓保護(hù)。如果FB流出電流大于ILine_OVP (典型值960μA)，IC將觸發(fā)線電壓過壓保護(hù)；如果FB流出電流小于ILine_BOP(典型值 240μA)，IC將觸發(fā)欠壓保護(hù)。通過調(diào)整FB上拉電阻R2，可以改變線電壓過壓保護(hù)閾值VOVP和欠壓保護(hù)閾值VBOP：