電源芯片陣營(yíng)S1108SA重拳出擊
電源芯片S1108SA結(jié)合了一個(gè)專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，低待機(jī)功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本。
電源芯片S1108SA主要特點(diǎn)：
集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒壓精度
待機(jī)功耗<70mW
多模式原邊控制方式
工作無異音
優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
可調(diào)式線損補(bǔ)償
集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償
集成完善的保護(hù)功能
電源芯片S1108SA引腳定義：
1 腳GND 芯片參考地。
2 腳VDD 芯片供電管腳
3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時(shí)連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了 PWM 驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比和 CS 管腳的關(guān)斷電壓。
4 腳CS 電流采樣輸入管腳
5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。
電源芯片S1108SA適用于12W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。S1108SA集成有多種保護(hù)功能：VDD 欠壓保護(hù) (UVLO)、VDD 過壓保護(hù) (OVP)、逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù) (SLP) 和 VDD箝位等。
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