GaN快充芯片U8607為18~65W應(yīng)用提供全新解決方案
在各式各樣的快充充電器之中,“GaN”這三個字近日越來越受到消費者的青睞。GaN快充充電器是一種基于GaN功率器件的新型快充充電器,GaN功率器件可以實現(xiàn)更高的功率密度和轉(zhuǎn)換效率,從而縮小充電器的體積和重量,并提高充電速度和安全性。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的GaN快充芯片U8607,是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
GaN快充芯片U8607集成了高壓啟動功能。在啟動階段,U8607通過芯片DRAIN腳對VDD充電,當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON (典型值12V)時,高壓供電關(guān)閉。輸出建立后,芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中,當(dāng)VDD低于3V時,高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值0.55mA),小電流充電,可以降低VDD引腳對地短路時的芯片功耗。當(dāng)VDD電壓超過3V時,充電電流增加到IHV2 (典型值5mA),以縮短啟動時間,隨VDD電壓升高,充電電流逐漸減小。當(dāng)VDD電壓降到VVDD_REG (典型值9V)時,高壓供電電路再次開啟,以維持VDD電壓。但是,如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時間超過80ms,芯片將觸發(fā)保護(hù)。當(dāng)芯片觸發(fā)保護(hù)狀態(tài)時,系統(tǒng)停止打驅(qū)動,高壓供電電路開啟,維持VDD電壓在VVDD_REG_ST(典型值12V)。
GaN快充芯片U8607集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù),通過調(diào)制峰值電流參考值實現(xiàn)頻率抖動,以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。U8607集成有多種保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過壓保護(hù)(VDD OVP)、輸出短路保護(hù)(FB SLP)、輸出過壓保護(hù)(FB OVP)、輸入過壓保護(hù)(Line OVP)、輸入欠壓保護(hù)(Line BOP)和過溫保護(hù)(OTP)等。
GaN目前已經(jīng)在高端充電器上全面鋪開。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,GaN快充充電器滲透率從2021年起快速上升,即便按照目前市場上的“內(nèi)卷”程度,GaN快充充電器仍有很大的發(fā)展空間。深圳銀聯(lián)寶科技正在有計劃的逐步推出不同款型的GaN快充芯片,無論是品質(zhì),還是價格,都十分有優(yōu)勢,必須關(guān)注起來!
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