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高通快充方案科普,建議采用18W芯片U6108S

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2019-12-05 16:12:21【


機智的高通就提出一種高電壓技術(shù)路線-- Quick Charge 2.0:我們?yōu)楹尾惶岣叱潆娖鞯?/span>USB接口的電壓呢?這確實是一個非常好的想法,提高電壓可以在數(shù)據(jù)線電流負載不變的情況下提高充電功率,接口和數(shù)據(jù)線都不用更換,大大節(jié)省了成本。

高通在Quick Charge 2.0上設計了兩種方案----A類和B類。手機使用的A類可以提供輸出5V、9V、12V三種電壓,實際上基本上都只用9V這個檔位。

B類方案電壓將支持到5V9V、12V20V四種電壓,功率可以達到60W,不過標準B基本上是給平板和筆記本準備的。我們可以簡單計算一下,小米4/NOTE,輸入限流9V 1.2A,實際功率也和5V 1.8A是一樣的了,但是電流直接小了1/3,也就是說數(shù)據(jù)線和接口的損耗大幅度降低了。

了解過高通的快充方案之后,銀聯(lián)寶科技小編推薦一款18W的快充方案,采用芯片U6108S內(nèi)置cool MOS,可以做較小殼子的5V3A5V3.2A,9V2A,12V1.5a等,某些非標方案的12V2A等。也可以做較小體積的PD/QC快充18W方案。

18W的快充方案U6108S的特點:

1.控制支持DCMCCM操作

2.l±1CV調(diào)節(jié),具有快速動態(tài)響應

3.待機功率小于75mW

4.電流模式控制

5.內(nèi)置頻率混洗

6.固定的65KHz開關頻率

7.綠色模式和突發(fā)模式控制

8.封裝:SOP-8

快充方案U6108S集成了以下功能和保護:欠壓鎖定(UVLO),VDD過壓保護(VDD OVP),逐周期電流限制(OCP),短路負載保護(SLP),過載保護(OLP),片上 熱關斷(OTP),軟啟動,VDD鉗位等。

銀聯(lián)寶科技快充方案的精細管理,提高了充電效率降低了損耗,更多詳細資料,請咨詢。

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