極具性價(jià)比的充電器芯片推薦——U2281TMB
年后開工開學(xué),新一波的手機(jī)充電器需求也逐漸興起。特別是在國(guó)補(bǔ)政策優(yōu)惠力度極大的當(dāng)下,消費(fèi)者的購(gòu)買熱情更甚年前。今天我們就基于小伙伴充電器項(xiàng)目的常規(guī)需求,給大家推薦一款市場(chǎng)口碑不錯(cuò)且極具性價(jià)比的充電器芯片——U2281TMB。
充電器芯片U2281TMB啟動(dòng)電流很低,小于10uA。因此,開關(guān)電源的啟動(dòng)電路可以使用大電阻,這將盡量減少待機(jī)損耗。啟動(dòng)電阻的典型電阻為4M歐姆。U2281TMB開關(guān)頻率內(nèi)部固定在65 kHz,在PCB設(shè)計(jì)中不需要外部頻率設(shè)置組件。
充電器芯片U2281TMB主要特性:
1. 數(shù)字洗頻技術(shù),以提高EMI性能。
2. 固定的65 kHz PWM開關(guān)頻率。
3. 內(nèi)置前沿消隱
4. 內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償,逐周期電流限制
5. 低備用功耗(<75mW@AC 230V)
6. 內(nèi)置軟啟動(dòng),管腳浮空保護(hù)
7. 集成自恢復(fù)模式的保護(hù)功能:
VDD欠壓保護(hù)(UVLO)
VDD過(guò)壓保護(hù) (OVP)
過(guò)熱保護(hù)(OTP)
逐周期電流限制
過(guò)載保護(hù)(OLP)
短路保護(hù)(SCP)
前沿消隱(LEB)
CS管腳開路保護(hù)
8. 低啟動(dòng)電流(<10uA@VDD=12V)
充電器芯片U2281TMB封裝形式SOT23-6,可做OB2263的替代,管腳如下:
1腳是VDD IC電源引腳。
2腳是 GND IC的接地。
3腳是FB反饋引腳。通過(guò)將光電耦合器連接到該引腳來(lái)實(shí)現(xiàn)環(huán)路調(diào)節(jié)。PWM占空比由該引腳電壓和引腳4上的電流檢測(cè)信號(hào)決定。
4 CS電流檢測(cè)輸入引腳。
5、6、7、8 腳是Darin功率MOSFET漏極。
充電器芯片U2281TMB GATE引腳具有300mA的吸收電流和150mA的源電流能力,MOSFET將緩慢導(dǎo)通并快速關(guān)斷,從而使U2281TMB具有高效率和低輻射EMI。驅(qū)動(dòng)電壓的最高電壓被箝位在12V。通過(guò)在電流檢測(cè)輸入電壓上增加電壓斜坡來(lái)集成斜率補(bǔ)償電路,從而產(chǎn)生PWM。這大大提高了CCM的閉環(huán)穩(wěn)定性,防止了次諧波振蕩,從而降低了輸出紋波電壓。
深圳銀聯(lián)寶科技推出的充電器芯片方案,可以輕松滿足六級(jí)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)和EMC的要求,具有全面的保護(hù)功能,保證了系統(tǒng)的可靠性,不管是價(jià)格還是品質(zhì)都稱得上是“真香系列”。具體信息可直接搜索深圳銀聯(lián)寶科技,專人解答您的各種難題!
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