MOS管電流可靠性設(shè)計(jì)原則其一是防范變壓器氣隙處理不當(dāng)時(shí)變壓器磁芯飽和導(dǎo)致過(guò)流。氣隙和制造過(guò)程相關(guān)，需供應(yīng)商監(jiān)控其波動(dòng)。氣隙過(guò)小，導(dǎo)致磁飽和；氣隙過(guò)大，漏感過(guò)大，效率降低，發(fā)熱嚴(yán)重。實(shí)際測(cè)試時(shí)變壓器原邊電流如出現(xiàn)瞬時(shí)尖峰即為飽和。其二是大負(fù)載條件下MOS管的瞬態(tài)電流保證余量足夠。

MOS 管電流和變壓器原邊電流相等。一般地，一個(gè)電源設(shè)計(jì)完成后，副邊各電流峰值Io是由輸出大負(fù)載及大占空比Dmax決定，

副邊平均峰值電流 : Ispa = Io / (1-Dmax )

副邊直流有效電流 : Isrms = √〔(1-Dmax)*I2spa〕

副邊交流有效電流 : Isac = √(I2srms - Io2)

Dmax為電源控制芯片給出的規(guī)格，一般為0.5.

變壓器設(shè)計(jì)好后，匝比Np/Ns=n確定，且Np*Ip = Ns*Is，原邊各電流值理論值如下，

原邊平均峰值電流 : Ippa = Ispa / n

原邊直流有效電流 : Iprms = Dmax * Ippa

原邊交流有效電流 : Ipac = √D*I2ppa

銀聯(lián)寶科技MOS管AP3401替代新潔能NEC3401,該低壓MOS管采用的P溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的RDS（ON）。低柵極電荷和操作與柵極電壓低2.5V。這個(gè)裝置是適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。該MOS管AP3401的相關(guān)參數(shù)：

1.漏源電壓Vds -30 V.

2.漏電流一連續(xù)Id -4.2 A.

3.漏極電流-連續(xù)A lD（Ta = 70°C）-3.5 A.

4.脈沖漏極電流B Idm -30 A.

5.柵源電壓Vgs±12 V.

6.總功耗A Pd 1.4 W.

7.總功耗A PD（Ta = 70°C）1.0 w

8.工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍Tj，Tstg -55150°C

9..大結(jié)環(huán)境A RpJA 125°c / w

10..大結(jié)引線c Rojl 60°c / w

實(shí)際測(cè)試時(shí)確認(rèn)峰值余量。一般地，大電壓、大負(fù)載條件下電源啟動(dòng)、工作時(shí)的工作電流大。要求大工作電流<70%MOS管額定電流。更多MOS管型號(hào)，找銀聯(lián)寶科技。