內(nèi)置MOS的初級(jí)主控手機(jī)快充芯片S1109
有的手機(jī)廠商為了與同品類手機(jī)做出差異化優(yōu)勢(shì),在性能、屏幕、充電等賽道上持續(xù)耕耘,越來越多的新名詞讓用戶們眼花繚亂,消費(fèi)者在購手機(jī)時(shí)還是需要貨比三家,在網(wǎng)上提前尋找本機(jī)的評(píng)價(jià),以免踩坑。深圳銀聯(lián)寶科技作為手機(jī)快充芯片的制造商,質(zhì)量為先,服務(wù)至上,多年的經(jīng)營(yíng)發(fā)展,備受客戶的青睞!
銀聯(lián)寶科技這款內(nèi)置MOS的初級(jí)主控手機(jī)快充芯片 S1109,主要特點(diǎn)如下:
1.可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù)
2.±5% 恒流精度;±1%恒壓精度
3.待機(jī)功耗<75mW
4. 滿載固定65KHz開關(guān)頻率 ,輕載Burst Mode
5.綠色省電模式和打嗝模式工作
6.超低啟動(dòng)和工作電流
7.集成抖頻功能優(yōu)化 EMI
8.集成內(nèi)部斜率補(bǔ)償?shù)碾娏髂J娇刂?/span>
9.集成線電壓和電感量補(bǔ)償?shù)暮懔骷夹g(shù)
10.集成自恢復(fù)模式的保護(hù)功能
手機(jī)快充芯片 S1109的腳位分析:
1腳是VDD IC電源引腳。
2腳是 GND IC的接地。
3腳是FB反饋引腳。 通過將光電耦合器連接到該引腳來實(shí)現(xiàn)環(huán)路調(diào)節(jié)。PWM占空比由該引腳電壓和引腳4上的電流檢測(cè)信號(hào)決定。
4 CS電流檢測(cè)輸入引腳。
5、6、7、8 腳是Darin功率MOSFET漏極。
拒絕“套路”,體驗(yàn)才能出真知!手機(jī)快充芯片 S1109,可以配同步和協(xié)議。深圳銀聯(lián)寶科技工程部技術(shù)人員在線解答,專業(yè)調(diào)試,解決你的后顧之憂!
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