PD快充芯片U8766滿(mǎn)足寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合需求
具有寬輸入電壓和輸出電壓范圍的單電池充電器集成電路IC使得能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應(yīng)用中使用相同的充電器,從而幫助縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間,還能獲得更優(yōu)化的充電體驗(yàn)。PD快充芯片U8766最高支持220kHz開(kāi)關(guān)頻率,適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿(mǎn)足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供電技術(shù),僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可,在輸出電壓較低時(shí),Boost電路啟動(dòng)工作,維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V),當(dāng)輸出電壓升高,輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí),Boost電路停止工作,VDD由輔助繞組供電。
在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN (典型值0.4V)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過(guò)VSKIP_OUT(典型值0.5V/0.7V)時(shí),PD快充芯片U8766重新開(kāi)始開(kāi)關(guān)動(dòng)作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù),可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值,實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。
PD快充芯片U8766封裝類(lèi)型ESOP-10W,引腳說(shuō)明如下:
1 HV P 高壓?jiǎn)?dòng)管腳
2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳
3 Source P GaN FET 源極引腳
4 GND P 芯片參考地
5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
6 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
7 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)
8 VDD P 芯片供電管腳
9 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
10 NC -
PD快充芯片U8766采用計(jì)算輸出電流的方式實(shí)現(xiàn)輸出過(guò)流保護(hù),實(shí)際輸出過(guò)流保護(hù)值 IOUT_OCP計(jì)算關(guān)系如下:
其中NP為變壓器原邊繞組匝數(shù),NS是變壓器副邊繞組匝數(shù),RSENSE是采樣電阻阻值,VOCP_REG是過(guò)流保護(hù)基準(zhǔn)值,該參數(shù)根據(jù)DEM腳電壓分檔,實(shí)現(xiàn)不同輸出電壓設(shè)置不同過(guò)流保護(hù)值的功能,滿(mǎn)足快充低壓大電流的應(yīng)用需求!
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