同步整流ic U7710SG有效降低二次側(cè)整流功耗
隨著開關(guān)電源的工作頻率增加,以及隨著同步整流控制器對(duì)控制閾值精度以及響應(yīng)速度要求的不斷提高,開關(guān)損耗更低、高頻特性更好的第三代化合物半導(dǎo)體同步整流將是更好的方案。深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流ic U7710SG能有效降低二次側(cè)整流的功耗,提供高性能的解決方案。
同步整流ic U7710SG是一種開關(guān)電源的同步整流電路,它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動(dòng)電路,用于DCM、QR的同步整流。U7710SG通過對(duì)MOSFET SW-to-GND電壓的檢測(cè),可以用較少的外部元件輸出理想的驅(qū)動(dòng)信號(hào)??蔀?5V輸出電壓應(yīng)用提供高性能解決方案。其特性如下:
● 支持 DCM、QR 控制應(yīng)用
● 集成同步整流 MOSFET
● 最大工作頻率 100kHz
● 30ns 的快速關(guān)斷總延時(shí)
● 兼容能源之星
● 50uA 的低靜態(tài)電流
● SOP8 封裝
同步整流ic U7710SG支持在DCM和準(zhǔn)諧振拓?fù)渲羞\(yùn)行。在DCM或準(zhǔn)諧振拓?fù)渲泄ぷ?,控制電路以正向模式控制柵極,當(dāng)MOSFET電流相當(dāng)?shù)蜁r(shí),控制電路將關(guān)閉柵極。當(dāng)Vcc低于UVLO閾值時(shí),部件處于休眠狀態(tài),內(nèi)部N-MOS將被關(guān)閉。腳位名稱如下:
1、2、3 GND 芯片地,內(nèi)置同步整流管源極
4 VDD 芯片電源輸入
5、6、7、8 SW 內(nèi)置同步整流管漏極
當(dāng)同步MOSFET導(dǎo)電時(shí),電流將流過它的體二極管,在體二極管上產(chǎn)生一個(gè)負(fù)的Vds。因?yàn)檫@個(gè)體二極管的電壓降比控制電路(-200mV)的打開閾值要小得多,而控制電路(-200mV)隨后會(huì)打開N-MOS。 當(dāng)Vds升高觸發(fā)關(guān)斷閾值(-20mV)時(shí),控制電路將N-MOS門電壓在延時(shí)約30nS后拉低,同步N-MOS關(guān)斷后加1.7uS消隱時(shí)間,避免因振鈴引起誤觸發(fā)。同步整流ic U7710SG控制電路包含消隱功能。當(dāng)關(guān)斷MOSFET時(shí),確保關(guān)斷狀態(tài)至少持續(xù)約1.7us左右。
消費(fèi)市場(chǎng)是未來(lái)幾年同步整流器市場(chǎng)的主要增量來(lái)源。深圳銀聯(lián)寶科技已早早與客戶建立戰(zhàn)略合作關(guān)系,配合客戶需求給出定制化同步整流ic解決方案,積極融合,不斷提升產(chǎn)品性能及競(jìng)爭(zhēng)力,期待建立更多合作關(guān)系!
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