隨著DoE六級能效及CoC V5 Tier 2的實施，同步整流取代肖特基已成為大勢所趨，銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7711采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的，從而提高轉(zhuǎn)換效率，可以提高整個AC-DC的整體效率，并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓，降低電源本身發(fā)熱。

同步整流芯片U7711是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式 (DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式 (QR)。內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7711內(nèi)部集成有VDD欠壓保護(hù)功能和VDD電壓鉗位。

在原邊MOSFET導(dǎo)通期間，同步整流芯片U7711內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V 左右?；诟哳l解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。初始階段同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓(<-500mV)。該負(fù)向Vds電壓遠(yuǎn)小于U7711內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值，故經(jīng)過開通延遲（Td_on，約200ns）后內(nèi)部MOSFET開通。

在同步整流 MOSFET 導(dǎo)通期間，同步整流芯片U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約 60ns）后被關(guān)斷。在內(nèi)部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source) 之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在 LEB時間（約1us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時間結(jié)束。

同步整流技術(shù)就是大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，從而提高轉(zhuǎn)換效率，降低電源本身發(fā)熱。想要了解同步整流芯片的相關(guān)資料，聯(lián)系銀聯(lián)寶科技400-778-5088。