肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無(wú)法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

銀聯(lián)寶肖特基二極管器件本身具有很高的開(kāi)關(guān)頻率，而且它的反向擊穿電壓比較的低。同時(shí)因?yàn)榧夹g(shù)的不斷改進(jìn)，對(duì)新型材料的使用，使得肖特基二極管本身充滿(mǎn)了生機(jī)以及很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

銀聯(lián)寶肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)：

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低

在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大

在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少

在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快

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