想要了解同步整流芯片TB6812+TB8521的好處嗎？
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隨著環(huán)保意識的提升，在多國政府法規(guī)積極推動之下，達(dá)到多國聯(lián)盟制訂的6級能效，促使電子產(chǎn)品對電源供應(yīng)器規(guī)格要求越來越嚴(yán)格。對電源的效率越來越高，對侍機(jī)的功耗要求越來越低，電源功率密度的不斷提高，對于電源次級整流的要求越來越高，整流器件從初的肖特基管整流，發(fā)展到用同步整流開關(guān)管替代二極管以降低功耗。所以同步整流技術(shù)好處就是大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，從而提高轉(zhuǎn)換效率，降低電源本身發(fā)熱。
電源芯片TB6812是一款六級能效，專利EMI優(yōu)化，高集成度高性價比的芯片。具有多模式控制，專利EMI優(yōu)化，高集成度高性價比。它優(yōu)化的動態(tài)控制是優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)能力，優(yōu)化的環(huán)路控制是工作穩(wěn)定，無異音，SR（同步整流）兼容性高。它的高度集成是線損補(bǔ)償技術(shù)，集成線電壓，電感恒流補(bǔ)償技術(shù)。該芯片有短路保護(hù)(SUP)\過載保護(hù)（OLP）\芯片過熱保護(hù)（OTP）\逐周期電流限制前沿消隱（LEB）\VDD過壓\欠壓保護(hù)。
電源芯片TB8521是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān),內(nèi)置導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效。該芯片支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu),同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)。TB8521內(nèi)置VDD高壓供電模塊,無需VDD輔助繞阻供電,降低了系統(tǒng)成本。內(nèi)部集成有VDD欠壓保護(hù)功能和VDD電壓鉗。內(nèi)置45V功率MOSFET。
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