原邊電源管理芯片U6218C提效、降噪、省成本
通過原邊反饋穩(wěn)壓省掉電壓反饋環(huán)路(TL431和光耦)和較低的EMC輻射省掉Y電容,不僅省成本而且省空間,得到很多電源工程師采用。深圳銀聯(lián)寶科技的原邊電源管理芯片U6218C,正是目前很受歡迎的一款原邊控制功率開關(guān)方案,在230VAC ± 15% 推薦功率18W,在85 - 265 VAC推薦功率15W!
原邊電源管理芯片U6218C在恒壓輸出模式中采用了調(diào)頻控制與調(diào)幅控制結(jié)合的多模式控制技術(shù),可實現(xiàn)由滿載到空載全程無異音工作。U6218C集成了單點失效保護,包括FB上拉電阻開路保護、FB下拉電阻開路保護、FB下拉電阻短路保護、輸出二極管或者SR短路、RCS開路、變壓器繞組短路、IC GND管腳開路等保護。一旦故障發(fā)生,芯片將進入保護模式并自動重啟。芯片的單點失效保護功能可以保證IC不損壞且輸出不產(chǎn)生過壓。
PCB設(shè)計對電源的EMI,ESD等性能有顯著影響,原邊電源管理芯片U6218C設(shè)計原邊回路時建議參考以下內(nèi)容(詳盡資料可參照規(guī)格書):
1. 原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小,同時走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。
2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應(yīng)盡可能小。
3. VDD 電容 C3 應(yīng)緊貼芯片,保證 VDD 回路(Loop3) 的面積盡可能小。
4. 如 Line1 所示,輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地,以減少 ESD 能量對于芯片的干擾。
5. 如 Line2 所示,VDD 電容 C3 及 FB 下阻 R5應(yīng)先連接到芯片的 GND 管腳,再連接到輸入電容的地。
為了滿足嚴(yán)苛的平均效率和待機功耗要求,原邊電源管理芯片U6218C采用了調(diào)幅控制(AM)和調(diào)頻控制(FM)結(jié)合的多模式控制技術(shù)。重載條件下,U6218C工作在準(zhǔn)諧振狀態(tài),以保證優(yōu)異的效率和溫升性能。隨著負載降低,芯片先后進入調(diào)頻模式(FM)和調(diào)幅模式(AM),以達到提高輕載效率和降低噪音的目的。
MOSFET存在可觀的關(guān)斷延遲,會影響芯片的恒流輸出性能。如果不做補償,高壓輸入下的OCP值會比低壓輸入高很多。原邊電源管理芯片U6218C內(nèi)置線電壓恒流補償電路,可以得到優(yōu)異的輸出電流調(diào)整率。U6218還有U6218A、U6218B兩款型號,功率可做21W、18W,滿足不同場景需求!
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