功能描述

U771X 是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)， 內(nèi)置導(dǎo)通阻抗功率MOSFET 以提升系統(tǒng)效率。U771X 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)， 也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式 (QR)。U771X 集成有 VDD 欠壓保護(hù)功能和 VDD 電壓鉗位。U771X 內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊，無(wú)需 VDD 輔助繞組供電，減低了系統(tǒng)成本。

7.1V 穩(wěn)壓器

在原邊 MOSFET 導(dǎo)通期間，IC 內(nèi)部 7.1V 穩(wěn)壓器將從其 Drain 管腳抽取電流向 VDD 供電，以使 VDD 電壓恒定在 7.1V 左右?；诟哳l解耦和供電考慮， 推薦選取容量為 1uF 的陶瓷電容作為 VDD 電容。

系統(tǒng)啟動(dòng)

系統(tǒng)開(kāi)機(jī)以后，芯片內(nèi)部高壓 LDO 從 Drain 管腳抽取電流向 VDD 電容供電。

當(dāng)  VDD  電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.1V  典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流 MOSFET 進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流 MOSFET 的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng) VDD 電壓高于 VDD 開(kāi)啟電壓后（4V  典型值），芯片開(kāi)始工作。芯片內(nèi)部同步整流 MOSFET 只在副邊續(xù)流期間才能開(kāi)通。

開(kāi)通階段

初始階段同步整流 MOSFET 處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng) MOSFET 體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向 Vds 電壓 (<-500mV)。該負(fù)向 Vds 電壓遠(yuǎn)小于 U771X 內(nèi)部 MOSFET 開(kāi)啟檢測(cè)閾值， 故經(jīng)過(guò)開(kāi)通延遲（Td_on，約 200ns）后內(nèi)部 MOSFET 開(kāi)通

關(guān)斷階段

在同步整流 MOSFET 導(dǎo)通期間， U771X 采樣MOSFET 漏-源兩端電壓 (Vds)。當(dāng) Vds 電壓高于MOSFET 關(guān)斷閾值，內(nèi)部 MOSFET 將在關(guān)斷延遲

前沿消隱 (LEB)

在內(nèi)部同步整流 MOSFET 開(kāi)通瞬間， 芯片漏- 源(Drain-Source) 之間會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動(dòng)作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路 (LEB)。在 LEB 時(shí)間（約 1us） 內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽， 無(wú)法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直消隱時(shí)間結(jié)束

封裝信息 SOP-8