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U6271S電源管理芯片IC
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集成 650V MOSFET
多模式原邊控制方式
優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償
封裝形式 SOP-8
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U6605D開(kāi)關(guān)電源芯片
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集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒壓精度
待機(jī)功耗<70mW
多模式原邊控制方式
工作無(wú)異音
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U6111電源管理IC芯片
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內(nèi)部集成550V高壓MOSFET
±4% 恒流精度
VDD 工作電流
無(wú)需輔助繞組
集成式高壓電流源提高啟動(dòng)速度
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原邊20W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6116
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原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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N溝道低壓MOS管AP6242 DFN2*2封裝
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P負(fù)載開(kāi)關(guān)
N溝道低壓MOS管
阻抗值較小
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低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管AP9926 雙NMOS SOP-8封裝
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雙N通道超高密度電池設(shè)計(jì)MOS管
適用極低Ros（on）
高功率和電流處理能力
阻抗值較小
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低壓N溝道MOS管AP83T03K TO-252封裝
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N溝道MOS
Lnw導(dǎo)通電阻
硅工藝技術(shù)
快速切換性能
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P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管AP15P03Q DFN3*3
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P溝道功率
極低的EDS（ON）
快速開(kāi)關(guān)
阻抗值較小
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低壓MOS管AP75N04K N溝道to-252
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N通道增強(qiáng)模式
便攜式設(shè)備負(fù)載開(kāi)關(guān)
良好的活性氧
阻抗值較小
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AP120N03K低壓MOSTO-252封裝
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N溝道MOS管
Lnw導(dǎo)通電阻
快速切換
阻抗值較小
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AP3407增強(qiáng)型低壓功率低壓MOS管SOT23封裝
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P溝道功率
便攜式設(shè)備負(fù)載開(kāi)關(guān)
阻抗值較小
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低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管AP2080KTO-252封裝
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2.5V門(mén)禁驅(qū)動(dòng)
便攜式設(shè)備負(fù)載開(kāi)關(guān)
體積小，活性氧含量極低
阻抗值較小
符合RoSH和無(wú)鹵
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鋰電池保護(hù)板低壓MOSAP8810 雙N溝道 SOP-8封裝
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P負(fù)載開(kāi)關(guān)
便攜式設(shè)備負(fù)載開(kāi)關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器
阻抗值較小
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低壓MOS管場(chǎng)效應(yīng)管AP3010 SOP-8封裝 N溝道MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)
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SOP-8封裝
較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷，柵極工作電壓低
適用于保護(hù)電路，開(kāi)關(guān)電路
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低壓MOS管 AP8205A TSSOP8
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雙N溝道TSSOP8薄體，密腳的
較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷，柵極工作電壓低2.5V
適用于保護(hù)電路，開(kāi)關(guān)電路
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低壓MOS管 AP3401 SOT23
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SOT23-3塑料封裝P道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，P溝道功率MOSFET
適用于作負(fù)載開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用
阻抗值較低
VDS（V）=-30V ID=-4.2A（VGS=-10V） RDS(ON)＜50mΩ（VGS=-10V） RDS(ON)＜65mΩ（VGS=-4.5V） RDS(ON)＜85mΩ（VGS=-2.5V
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低壓MOS管 AP2302 SOT23
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P負(fù)載開(kāi)關(guān)
便攜式設(shè)備負(fù)載開(kāi)關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器
阻抗值較小
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低壓MOS管 AP2300 SOT23
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低導(dǎo)通電阻150°C操作溫度
溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的通電阻
低導(dǎo)通電阻
快速切換
無(wú)鉛，符合RoHS要求
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低壓MOS AP8205 SOT23-6封裝
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采用的溝槽技術(shù)
提供較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷
柵極電壓低于2.5V
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5V2.4A同步整流芯片TB8521
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●工作在非連續(xù)模式(DCM)的次級(jí)同步整流控制器
●內(nèi)部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開(kāi)管能力的驅(qū)動(dòng)電路
●啟動(dòng)及靜態(tài)工作電流
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