-
成本的5V2.4A充電器方案,精簡BOM,非標(biāo)
更多 +
輸入電壓:90-265Vac輸入
輸出功率:12W
QR-PSR控制提高工作效率
待機功耗:<75mW
平均效率:>83.33%,滿足六級能效要求
PSR控制模式,無光耦,無431
-
成本的5V2A充電器方案,精簡BOM,可認證
更多 +
輸入電壓:90-265Vac輸入
輸出功率:10W
QR-PSR控制提高工作效率
PSR控制模式,無光耦,無431
待機功耗:<75mW
平均效率:>83.33%,滿足六級能效要求
-
低壓N溝道MOS管AP83T03K TO-252封裝
更多 +
N溝道MOS
Lnw導(dǎo)通電阻
硅工藝技術(shù)
快速切換性能
-
P溝道MOS場效應(yīng)管AP15P03Q DFN3*3
更多 +
P溝道功率
極低的EDS(ON)
快速開關(guān)
阻抗值較小
-
AP120N03K低壓MOSTO-252封裝
更多 +
N溝道MOS管
Lnw導(dǎo)通電阻
快速切換
阻抗值較小
-
AP3407增強型低壓功率低壓MOS管SOT23封裝
更多 +
P溝道功率
便攜式設(shè)備負載開關(guān)
阻抗值較小
-
低壓MOS管場效應(yīng)管AP3010 SOP-8封裝 N溝道MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)
更多 +
SOP-8封裝
較小的導(dǎo)通電阻RDS(on)
低柵極電荷,柵極工作電壓低
適用于保護電路,開關(guān)電路
-
低壓MOS管 AP3401 SOT23
更多 +
SOT23-3塑料封裝P道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,P溝道功率MOSFET
適用于作負載開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用
阻抗值較低
VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)<50mΩ(VGS=-10V) RDS(ON)<65mΩ(VGS=-4.5V) RDS(ON)<85mΩ(VGS=-2.5V
-
低壓MOS管 AP2302 SOT23
更多 +
P負載開關(guān)
便攜式設(shè)備負載開關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器
阻抗值較小
-
低壓MOS管 AP2300 SOT23
更多 +
低導(dǎo)通電阻150°C操作溫度
溝槽加工技術(shù),實現(xiàn)極低的通電阻
低導(dǎo)通電阻
快速切換
無鉛,符合RoHS要求
-
低壓MOS AP8205 SOT23-6封裝
更多 +
采用的溝槽技術(shù)
提供較小的導(dǎo)通電阻RDS(on)
低柵極電荷
柵極電壓低于2.5V
-
非隔離3W開關(guān)電源方案U6110
更多 +
過熱保護(OTP)
VCC欠壓閉鎖(UVLO)
過載保護(OLP)
短路保護(SCP)等
-
PWM 控制功率開關(guān)電源芯片U3211
更多 +
集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓撲
默認 12V 輸出(FB 腳懸空)
待機功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護功能:
過載保護 (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過壓保護 (OVP)
VDD 過壓、欠壓和電壓箝位保護
-
PWM控制功率開關(guān)電源芯片U3210
更多 +
集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓撲
默認 12V 輸出(FB 腳懸空)
待機功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護功能:
過載保護 (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過壓保護 (OVP)
VDD 過壓、欠壓和電壓箝位保護
-
副邊15W開關(guān)電源芯片 U6203D
更多 +
效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
-
副邊15W開關(guān)電源芯片 TB3815
更多 +
效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
-
副邊65W開關(guān)電源芯片 TB3865
更多 +
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
-
副邊90W開關(guān)電源芯片TB3890
更多 +
頻率可外部編程,并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制,內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
-
U3012(DIP-8)
更多 +
內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少,無需外圍補償網(wǎng)絡(luò)能達到穩(wěn)定的動態(tài)相應(yīng)
低功耗與率(可達到 85%)
外接一個小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個微調(diào)頻點以及頻率打嗝
封裝形式:DIP-8 和 SO-8
相關(guān)搜索
熱點聚焦
銀聯(lián)寶--搶戰(zhàn)先機,穩(wěn)抓貨源
- 由于全球終端市場的嬗變...